SJ 50033.160-2002 半导体分立器件 3DG122型硅超高频小功率晶体管详细规范
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ID： |
64BF127DFC89465FAC90BD01B64DE565 |
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文件大小(MB)： |
0.21 |
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页数： |
8 |
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日期： |
2009-6-11 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/160-2002,半导 体 分 立 器 件,3DG122型硅超高频小功率晶体管,详细 规 范,Semiconductor discrete devices,Detail specification far type 3DG122 silicon UHF low-power transistor,2002-10-30发布2003-03-01实施,中华人民共和国信息产业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导 体 分 立 器 件,3DG122型硅超高频小功率晶体管详细规范SJ 50033/160- 2002,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3DG122 silicon UHF lout-power transistor,1 范围,1.1 主题内容,本规 范 规 定了3DG122型硅超高频4锄率.藻摊巷女亡多参蒲貂黔扣.的详细要求,1.2 适用范围,本规 范 适 用于器件例研制诀坐产伴口采购,1.3 分类,本规 范 根 据器件质量等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按G JB 3 3A子9.7一心娜李体汾立器件总规范妙f3中的规定，提供效预量保证等级丈妞Jt军级、特,军级和超特军级主级钾分别甩穿母JP.}J T 和JG.T表研乏a,2 引用文件,GBI T4 587冬岁刻袭导体分立添件和集成奄滓各‘{鳍祥琴臀:双极犁裁体管,GB IT 7 5 81-487伴导体汾文器件外形尺寸,GJB 3 3A 一91,GJ B1 28 A一9}t}、军澎体4文熟作胃翼芳飞忿少一,3 要求,3.1 详细要求,各项 要 求 应符合GJB3 JA和本斌范的规定。一,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件 的 设 计、结构和外形尺寸应符vGJB.j扒和本规苑钓规定,3.2.1 引出端材料和镀涂层,发射 极 、 基极和集电极引出端材料为可伐合金，引出端表面镀金,3.2.2 器件结构,采用 硅 平 面NPN双极型外延结构,3.2.3 外形尺寸,外 形尺 寸 按GBIT7 581中A3-02B型的规定，见图10,一一 一-一一-一-一一一一-一一,中华人民共和国信息产业部2002-10-3。发布2003-03-01实施,1,sJ 50033/160-2002,m m,符号,尺寸,最小标称最大,A 6.10 6.60,和5.48,必I 1.01,必? 0.407 4.508,四8.64 9.39,四, 8.01 8.54,t 0.712 0.863,K 0.74 l.14,L 12.5 25.4,L, 1甲27,引出端极性:,1发射极,2篆极,3集电极,图1 外形尺寸图,3.3,3.3.1,最大额定值和主要电特性,最 大额定值,最大额定值见表Io,表1 最大额定值,型号,P l’,m w,TA=25 0C,vcso,V,VCEO,V,rc,m人,Tog,℃,T,℃,3DG 122 500 60 45 300 -65-200 200,3.3.2 主要电特性,主要电特性见表2(几=25'C),SJ 50033/160一一2002,表2 主要电特性,几hFE,1) VCEsm,V,肠01,la A,ICEO,uA,介,MHz,Gp,dB,PO,W,1=30M A,t CE =10V Jlc"S0m A,IB=5 mA,几月,VCB=10 V,IBS,脸E=10 V,户400 MHz,曝 =10V,IC=30 mA,户100 REF1z,咬E =10V,IG=30 mA,最小值最大值最大值最大值最大值最小值最小位最小值,3DG122 30 120 0.3 0.1 0.1 700 10 0.1,1)直流法测试.,3.4 测试要求,测试 应 符 合GJB3 3A及本规范的规定,3.5J标志,器件 上 应 有如下标志:,a. 器 件 型号;,b. 承 制 方标志,4 质量保证规定,4.1 抽样和检验,抽样 和 检 验应特合GIt} 3入k} +}}范表4-:轰5认早翻、表7的规定,4.2 鉴定检验,鉴定 检 验 应符洽翻Ij3 W Xi本规靶鹅勺规凳骂一,4甲3 筛选(仅对JT和JCT级),筛选 应 按 GJB3 3式的铆的规定‘;一具体筛选项良按早祁进行奋琪测试幢孩沐规范表4的规定进行，超,过本规范表4极限1fm f件应剔除货,表全彬描选要求”嘴,筛 选,见GJB 33A表2,”斌 验方法一‘’“’一’,pi吞珍SA方法一号,条 并,J卿JCT,1.内部目检26'72, 100倍显微镜,2.高温寿命1仍1. 20Q'二叙洲旧律,3.温度循环1}0亏 14-*f#C,赫2QZk,4.恒定加速度2666' Y,芳向，I9e如咧君’一保持。min要求不适用,7.密封,a. 细 检 漏,b. C 检 漏,1071,条件H1 ,R ,-5 X 1 0-3Pa ',/cms P=517k Pa,t -4h,条件C, P=517 kPa, t=2 h,9.中间测试电参数Icsoi和hFEI,10.高温反偏1039 TA= 150 C，Vc,B=48 V, t-48 h,II.中间电参数ICBO;和hFEt,12.功率老炼1039 TA,=25-C YcE=10 V, Pta,=500 mW, r--160 h,13.终点测试Q Icso:为初始值的100%或0.05 v A,取较大者,}△hFE,}〔初始值的20%,1)未指明的项目不适用,sJ 5G033/16o--2002,4……
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